| 項(xiàng)目 |
規(guī)格 |
| EM區(qū)域 |
每個(gè)存儲庫32K字，*多13個(gè)存儲庫：E0_00000～EC_32767以下(因CPU單元型號而異。)
用作通用數(shù)據(jù)區(qū)域，供在字單元(16位)中讀取和寫入數(shù)據(jù)。關(guān)閉(OFF)PLC或更改操作模式時(shí)，EM區(qū)中的字將保持狀態(tài)。
EM區(qū)分為存儲庫，且可采用以下方法之一設(shè)定地址。
使用電流存儲庫的EMBC(281)指令和設(shè)定地址更改電流存儲庫。直接設(shè)定存儲庫編號和地址。
通過指定**個(gè)存儲庫的編號，可將EM數(shù)據(jù)存儲在文件中。 |
| 數(shù)據(jù)寄存器 |
DR0～DR15：存儲用于間接尋址的偏移值。每個(gè)寄存器有16位(1個(gè)字)。 |
| 索引寄存器 |
IR0～I(xiàn)R15：保存間接尋址的PLC存儲器地址。每個(gè)寄存器有32位(2個(gè)字)。 |
| 任務(wù)標(biāo)志區(qū)域 |
32(TK0000～TK0031)：任務(wù)標(biāo)志是只讀標(biāo)志，在對應(yīng)循環(huán)任務(wù)可執(zhí)行時(shí)為ON，在對應(yīng)任務(wù)不可執(zhí)行或處于備用狀態(tài)時(shí)為OFF。 |
| 跟蹤存儲器 |
4,000字(一個(gè)數(shù)據(jù)追蹤中可追蹤的數(shù)據(jù)*多為500個(gè)采樣，每個(gè)采用為31位和6個(gè)字)。 |
| 文件存儲器 |
存儲卡：可使用小型閃存卡(MS-DOS格式)。
EM文件存儲器：部分EM區(qū)可以轉(zhuǎn)換為文件存儲器(MS-DOS格式)。 |
| 功能 |
并行處理模式 |
程序執(zhí)行和外圍服務(wù)可同時(shí)執(zhí)行。 |
| 無電池操作 |
用戶程序和系統(tǒng)參數(shù)自動(dòng)備份在閃存(標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備)中。 |
| 周期時(shí)間常數(shù) |
可能(1～32,000ms)(單位：1ms) |
| 周期時(shí)間監(jiān)控 |
支持(如果周期過長，單元將停止操作)：10～40,000ms(單位：10ms) |
| I/O刷新 |
周期刷新、立即刷新、使用I/O REFRESH指令刷新 |
| 更改運(yùn)行模式時(shí)的I/O存儲保持功能 |
支持(取決于輔助區(qū)域中的IOM保持位的ON/OFF狀態(tài)。) |
| 負(fù)載OFF功能 |
輸出單元中的所有輸出均可關(guān)閉(OFF)。 |
| 輸入響應(yīng)時(shí)間設(shè)定 |
可為來自基本I/O單元的輸入設(shè)定時(shí)間常數(shù)。
增加時(shí)間常數(shù)可降低噪聲和振蕩的影響，或者減少以檢測輸入中更短的脈沖(**CS1基本I/O單元)。 |
| 電源ON時(shí)的模式設(shè)定 |
支持。 |
| 存儲卡功能 |
接通(ON)電源時(shí)自動(dòng)從存儲庫讀取程序(autoboot)。 |
| 數(shù)據(jù)在存儲卡中的存儲格式 |
用戶程序：程序文件格式
PLC設(shè)定與其他參數(shù)：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式)
I/O存儲器：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式)、文本格式或CSV格式 |
| 支持存儲卡讀取/寫入的功能 |
用戶程序指令、編程設(shè)備(包括編程器)、上位鏈接計(jì)算機(jī) |
| 文件功能 |
存儲卡數(shù)據(jù)和EM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器)區(qū)可作為文件處理。 |
| 調(diào)試功能 |
控制設(shè)定/復(fù)位、差監(jiān)控、數(shù)據(jù)追蹤(定時(shí)、每個(gè)周期或執(zhí)行指令時(shí))、發(fā)生程序錯(cuò)誤時(shí)存儲生成錯(cuò)誤的位置 |
| 在線編輯 |
CPU單元處于MONITOR或PROGRAM模式時(shí)，可在程序塊單元中改寫用戶程序。
(該功能對于塊編程區(qū)域不可用。) |
| 程序保護(hù) |
防止改寫：使用撥動(dòng)開關(guān)設(shè)定。
防止讀取：使用編程設(shè)備設(shè)定密碼。 |
| 出錯(cuò)檢查 |
用戶定義的錯(cuò)誤(即用戶可定義嚴(yán)重錯(cuò)誤和非嚴(yán)重錯(cuò)誤)
FPD(269)指令可用于檢查每個(gè)編程塊的執(zhí)行時(shí)間和邏輯。 |
| 出錯(cuò)記錄 |
錯(cuò)誤日志*多存儲20個(gè)錯(cuò)誤。信息包括錯(cuò)誤代碼、錯(cuò)誤詳細(xì)信息和錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)間。 |
| 串行通信 |
內(nèi)置外圍端口： 編程設(shè)備(包括編程器)連接、上位鏈接、NT鏈接
內(nèi)置RS-232C端口： 編程設(shè)備(不包括編程器)連接、上位鏈接、無協(xié)議通信、NT鏈接和串行網(wǎng)關(guān)*3 |
| 串行通信板(另售)：協(xié)議宏、上位鏈接、無協(xié)議通信*3、NT鏈接、串行網(wǎng)關(guān)*3和Modbus-RTU從站*5 |
| 時(shí)鐘 |
所有型號均提供。
注： 用于存儲接通(ON)電源和發(fā)生錯(cuò)誤的時(shí)間。 |
| 電源OFF檢測時(shí)間 |
10～25ms(不固定) |
| 電源OFF檢測延遲時(shí)間 |
0～10ms(用戶定義，默認(rèn)：0ms) |
| 斷電期間存儲器保持 |
保持區(qū)域：保持位、數(shù)據(jù)存儲器和擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲器的內(nèi)容以及計(jì)數(shù)器完成標(biāo)志的狀態(tài)和現(xiàn)有值。
注： 如果打開(ON)輔助區(qū)域中的I/O存儲保持圖， 且將PLC設(shè)定設(shè)定為在接通(ON)PLC電源時(shí)保持I/O存儲保持圖狀態(tài)， 則CIO區(qū)域、工作區(qū)域、部分輔助區(qū)域、超時(shí)標(biāo)志和PV、索引寄存器和數(shù)據(jù)寄存器的內(nèi)容將保存。 |
| 將命令發(fā)送到上位鏈接計(jì)算機(jī) |
通過從PLC執(zhí)行網(wǎng)絡(luò)通信指令，可將FINS命令發(fā)送到通過上位鏈接系統(tǒng)連接的計(jì)算機(jī)。 |
| 遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控 |
可以通過Controller Link系統(tǒng)或Ethernet使用上位鏈接通信進(jìn)行遠(yuǎn)程編程和遠(yuǎn)程監(jiān)控。 |
| 8級通信*2 |
通過使用上位鏈接，*多可跨八個(gè)網(wǎng)絡(luò)層(Controller Link或Ethernet)執(zhí)行遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控。(這些層可位于不同網(wǎng)絡(luò)類型之間。) |
將注釋存儲在
CPU單元中 |
I/O注釋將存儲在CPU單元的存儲卡*1或EM文件存儲器中。 |
| 程序檢查 |
程序檢查在項(xiàng)目開始操作時(shí)執(zhí)行，如無END指令和指令錯(cuò)誤。
編程設(shè)備(編程器除外)也可用于檢查程序。 |
| 控制輸出信號 |
RUN輸出：以RUN模式或MONITOR模式運(yùn)行CPU單元時(shí)，內(nèi)部接點(diǎn)將為ON(閉合)。
僅C200HW-PA204R、C200HW-PA209R和CS1D-PA207R電源單元提供這些端子。 |
| 電池壽命 |
電池壽命在環(huán)境溫度為25°C下為5年，但在不利溫度和電源條件下壽命會(huì)短至1.1年。(電池組：CS1W-BAT01)*3 *4 |
| 自檢功能 |
CPU錯(cuò)誤(WDT)、I/O驗(yàn)證錯(cuò)誤、I/O總線錯(cuò)誤、存儲器錯(cuò)誤和電池錯(cuò)誤。 |
| 其他功能 |
輔助區(qū)域中的字存儲了斷電次數(shù)、*后一次斷電時(shí)間以及通電時(shí)間總長。 |
